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本发明提供了一种平面型VDMOS器件的制作方法，该方法包括：对栅氧化层上的多晶硅层进行光刻、刻蚀，在栅氧化层上方的中间区域形成栅极，栅极的截面宽度为A+X微米；制作平面型VDMOS器件的P‑体区；在栅极的阻挡下，制作平面型VDMOS器件的P...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。