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本发明提出一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，包括下列步骤：搜集每批硅片上需要控制的氧化膜厚度；在产品开始处理前抓取实时磷酸中的硅浓度；根据预设的对应关系计算得到氧化膜预设腐蚀速率；使用前层厚度、预设腐蚀速率和目标厚度，自动计算出该...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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