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本实用新型涉及一种功率晶体管。所述功率晶体管的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源极区、以及所述阱区上方的栅极,所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型;其特征在于,所述元胞结构...该专利属于深圳深爱半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳深爱半导体股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种功率晶体管。所述功率晶体管的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源极区、以及所述阱区上方的栅极,所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型;其特征在于,所述元胞结构...