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本发明提供了一种静电放电保护电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一P层P1、第一N层N1、多晶硅层POLY、第二P层P2、第二N层N2，所述第一P层P1、第一N层N1、第二P层P2、第二N层N2依次叠加，所述多晶硅层POLY位于...
该专利属于长沙方星腾电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长沙方星腾电子科技有限公司授权不得商用。

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