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本发明涉及一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的P阱、形成于所述P阱上间隔设置的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽内的N型掺杂区域及N型...
该专利属于王凯所有，仅供学习研究参考，未经过王凯授权不得商用。

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