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一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离沟槽；隔离层，填充满所述隔离沟槽；吸光层，位于所述隔离层内。在本发明所形成半导体结构表面的光刻胶层中形成光刻图形时，可避免出现光刻胶层过度曝光现象，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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