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本发明公开了一种深硅刻蚀工艺和深硅刻蚀设备，涉及半导体技术领域，解决了深硅刻蚀过程中单个循环单元的持续时间长，刻蚀形成的沟槽的侧壁的粗糙度大的技术问题。该深硅刻蚀工艺包括多次重复进行的单个循环单元，所述单个循环单元包括一个沉积步骤和一个刻蚀...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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