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本发明提出一种存储器架构，其改善了针对可编程电阻值存储单元写入数据的双极性电流方向操作的可控性，所述存储器架构包括基于金属氧化物存储器材料的ReRAM存储单元。取代对特定译码器晶体管或单元选择装置施加固定的栅极电压，控制电压的值是在完全开启...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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