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本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括底电极通孔(BEVA)、位于BEVA上的再生层以及位于再生层上方的磁性隧道结(MTJ)层。BEVA包括位于BEVA的沟槽的底部和侧壁上方的衬垫层以及位于衬垫层上方的电镀的铜，填充BEVA的沟...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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