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本发明公开了一种高性能GeSbTe基热电材料的制备方法，包括以下步骤：1)以Ge、Sb和Te单质为原料，按化学计量比称量各原料，进行熔融处理，随炉冷却至室温得锭体产物；2)将所得锭体产物进行感应熔炼、熔融旋甩，制得薄带产物；3)将步骤2)所...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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