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本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中第二导电类型的半导体区不与基区直接接触，且所述耐压层中第二导电类型的半导体区通过一个或一个以上同向串联的二...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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