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本发明公开了一种高耐压半导体装置，包括一金属氧化半导体(MOS)装置，以及一电阻装置。该MOS装置包括一源极和一漏极、一漏极绝缘区，毗邻该漏极、一栅极，毗邻该源极。该电阻装置形成在该漏极绝缘区上且电性连接该漏极。该电阻装置系由多个电阻区段连...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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