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本发明提供了一种集成电路金属连线及其制备方法，其中，制备方法包括：对硅衬底上形成的金属层进行图形化处理，以形成金属连线；在形成所述金属连线后，采用四氟化碳气体对所述金属连线进行辅助干法刻蚀，以去除所述金属连线的表面氧化层和表面聚合物。通过本...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。