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本发明公开了一种硅片密封腔体的制作方法，所述制作方法包括：S1、对第一硅片进行热氧化；S2、刻蚀第二硅片形成空腔；S3、将离子注入到所述第一硅片的氧化层，在离子的射程处形成离子注入层；S4、将所述第一硅片的注入面与所述第二硅片的腔体面相对，...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

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