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公开了基于电子束(e‑beam)的半导体器件特征。在特定方面，一种方法包括执行第一光刻工艺以在半导体器件上制造第一组切割图案特征。第一组切割图案特征中的每个特征的从特征到有源区域的距离大于或等于阈值距离。该方法还包括执行电子束(e‑beam...
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