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本文描述了用于在含硅膜的半导体沉积工艺(例如，但不限于，等离子体增强原子层沉积)中形成含硅膜或材料(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物和使用所述组合物的方法。...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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