组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法技术

本文描述了用于在含硅膜的半导体沉积工艺(例如，但不限于，等离子体增强原子层沉积)中形成含硅膜或材料(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的组合物和使用所述组合物的方法。

Composition and method for depositing silicon containing film using said composition

This paper describes the technology used in the semiconductor deposition of silicon containing films (such as, but not limited to, plasma enhanced atomic layer deposition) formed in a silicon containing film or material (such as, but not limited to, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, carbon doped silicon nitride or carbon doped silicon oxide film) method and composition using the composition.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法相关申请的交叉引用本申请要求2014年10月24日提交的申请号62/068,248的权益。申请号62/068,248的公开内容通过引用并入本文。
技术介绍
本文描述了用于制造电子器件的方法和组合物。更具体地，本文描述了用于在等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺中形成含硅膜的组合物。可以使用本文所述的组合物和方法沉积的示例性含硅膜包括，但不限于，化学计量或非化学计量的，氮化硅、碳氮化硅、氧氮化硅、氮化铝硅、氧化硅和碳氧化硅(siliconcarboxide)膜。氮化硅通常用作制造集成电路中的绝缘体和化学屏障，以使不同结构电隔离或作为体型微加工中的蚀刻掩模。作为微芯片的钝化层，它优于二氧化硅，因为它是对抗水分子和钠离子(微电子器件中腐蚀和不稳定性的两个主要来源)的明显更好的扩散屏障。它也用作模拟芯片的电容器中的多晶硅层之间的电介质。用于形成氮化硅或膜的商业方法之一采用二氯硅烷和氨作为前体反应物。使用前体如二氯硅烷和氨的低压化学气相沉积(LPCVD)需要高沉积温度以获得最佳的膜性质。例如，可能需要大于750℃的温度以获得合理的生长速率和均匀性。其他加工问本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于沉积氮化硅或氧化硅膜的组合物，所述组合物包含：具有下式IIA至IIB的至少一种硅前体化合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.24 US 62/068,2481.一种用于沉积氮化硅或氧化硅膜的组合物，所述组合物包含：具有下式IIA至IIB的至少一种硅前体化合物：其中取代基R独立地选自氢、卤素原子、直链C1-C10烷基；支链C3-C10烷基；直链或支链C3-C12烯基；直链或支链C3-C12烯基；直链或支链C3-C12炔基；C4-C10环烷基；和C6-C10芳基。2.一种用于形成含硅材料的组合物：(a)具有下式IIA至IID的至少一种硅前体化合物：其中取代基R独立地选自氢、卤素原子、直链C1-C10烷基；支链C3-C10烷基；直链或支链C3-C12烯基；直链或支链C3-C12烯基；直链或支链C3-C12炔基；C4-C10环烷基；和C6-C10芳基；和(b)溶剂，其中所述溶剂具有沸点，并且所述溶剂的沸点与所述硅前体的沸点之间的差为40℃或更小。3.根据权利要求2所述的组合物，其中所述化合物包含选自双(二甲硅烷基氨基)硅烷和三(乙基甲硅烷基)胺中的至少一种。4.根据权利要求3所述的组合物，其中所述化合物包含双(二甲硅烷基氨基)硅烷。5.根据权利要求2所述的组合物，其包含选自醚、叔胺、烷基烃、芳族烃和叔氨基醚中的至少一种。6.根据权利要求2所述的组...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷新建，金武性，M·R·麦克唐纳，萧满超，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US