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本发明公开了一种半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法，从硅锭的顶面将其划分成6×6的阵列，形成36个硅块，将角部各硅块设为A区，边部各硅块设为B区，中间部分的硅块设为C区；并根据长晶方向对各硅块依次从1‑36进行编号；使得每个硅块形成一个区...该专利属于宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司授权不得商用。