半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法技术

本发明专利技术公开了一种半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法，从硅锭的顶面将其划分成6×6的阵列，形成36个硅块，将角部各硅块设为A区，边部各硅块设为B区，中间部分的硅块设为C区；并根据长晶方向对各硅块依次从1‑36进行编号；使得每个硅块形成一个区域与编号组合成的代码；36个硅块共围合成3个封闭的方形，最外层方形从A1沿顺时针方向开始抽样，中间层的方形从C8开始；内层方形从C15开始；抽样时每两个硅块一组，选择其中一个硅块为待测硅块，检测的面应为同一组中与另一硅块紧邻的面；通过上述操作，完成抽样。该抽样能够真实有效的反映出每个硅块的少子寿命值及其低少子的去除长度，保证硅片的质量稳定。

Sampling method for minority carrier life of silicon ingot in semi molten ingot process

The invention discloses a semi molten casting process of silicon ingot lifetime sampling method, from the top of the silicon ingot can be divided into 6 * 6 array, forming 36 silicon blocks, each block will corner the silicon to A area, the edge of each silicon block is set to B, the middle part the silicon block is C; and according to the direction of the crystal silicon block are numbered sequentially from 1 36; so that each block of silicon forming a region with the number of combined code; 36 silicon block enclosing 3 closed square, the outer square from A1 clockwise sampling square, the middle layer of the C8 from the beginning; the inner square from C15; sampling every two silicon block of a group, select one of the silicon block is measured silicon block detection surface should be in the same group with another piece of silicon near the surface; through the above operation, complete sampling. The sampling can truly and effectively reflect the value of the minority carrier lifetime of each silicon block and the removal length of the low minority number, so as to ensure the quality stability of the silicon wafer.

【技术实现步骤摘要】
半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法
本专利技术属于光伏行业多晶铸锭领域，具体涉及半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法。
技术介绍
目前光伏行业内为降低铸锭成本，投料量不断增加，硅锭块数也越来越多，多晶铸锭半熔工艺底部晶粒的融化程度对硅块少子寿命有较大影响，传统的抽样方法是按A1、C10、C14、C22、C26、A36进行抽样，取值A1-A6按A1第二面，C10第一面去除长度较大值；B7-B12及B13-B18按C10第三面、C14第一面去除长度较大值；B19-B24及B25-B30按C26第一面、C22第三面去除较大值；A31-A36按C26第三面、A36第四面去除较大值。该抽样方案不能准确反应出整个锭的少子寿命去除长度，有的硅块会少去除，有的会多去除，造成产品质量不合格或者成本增加，对铸锭质量的把控方向不清晰，缺少数据支撑，不能准确的判定硅锭/硅片的效率波动，对铸锭的原材料的投入影响性无法准确判断，少子寿命性能是铸锭品质及硅片效率的重要指标，对硅块尾部的低效片比例影响较大，对硅片质量无法保证。专利申请CN105785251A公开了一种硅块的少子寿命检测方法，其缺陷是1、此抽样检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法，其特征在于：1）从硅锭的顶面将其划分成6×6的阵列，形成36个硅块，将角部各硅块设为A区，边部各硅块设为B区，中间部分的硅块设为C区；并根据长晶方向对各硅块依次从1‑36进行编号；使得每个硅块形成一个区域与编号组合成的代码；2）36个硅块共围合成3个封闭的方形，最外层方形从A1沿顺时针方向开始抽样，中间层的方形从C8开始；内层方形从C15开始；抽样时每两个硅块一组，选择其中一个硅块为待测硅块，检测的面应为同一组中与另一硅块紧邻的面；通过上述操作，完成抽样。

【技术特征摘要】
1.半熔铸锭工艺中硅锭的少子寿命抽样方法，其特征在于：1）从硅锭的顶面将其划分成6×6的阵列，形成36个硅块，将角部各硅块设为A区，边部各硅块设为B区，中间部分的硅块设为C区；并根据长晶方向对各硅块依次从1-36进行编号；使得每个硅块形成一个区域与编号组合成的代码；2）36个硅块共围合成3个封闭的方形，最外层方形从A1沿顺时针方向开始抽样，中间层的方形从C8开始；内层方形从C15开始；抽样时每两个硅块一组，选择其中一个硅块为待测硅块，检测的面应为同一组中与另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭兆满，王震，钱华，魏加平，
申请(专利权)人：宜昌南玻硅材料有限公司，中国南玻集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42