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本发明公开了一种在具有存储器区域、LV区域和HV区域的衬底上形成存储器设备的方法，该方法包括在存储器区域中形成数对间隔开的存储器叠堆；在衬底上方形成与衬底绝缘的第一导电层；在第一导电层上形成第一绝缘层并从存储器区域和HV区域去除第一绝缘层；...
该专利属于硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术公司授权不得商用。

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