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绝缘栅功率半导体装置(1)具有发射极侧(22)与集电极侧(27)之间的(n‑)掺杂漂移层(5)。沟槽栅电极(7)具有沟槽底部(76)和沟槽横向侧(75)，并且延伸到沟槽深度(77)。p掺杂第一保护枕(8)覆盖沟槽底部(76)。n掺杂第二保护...
该专利属于ABB瑞士股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ABB瑞士股份有限公司授权不得商用。

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