温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法。所述适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法包括：在宽尺寸沟槽进行第一次多晶硅填充，形成第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层表面进行氧化处理，形成二氧化硅层；分别对所述二氧化硅层和所述第一多晶硅层进行回...
该专利属于张欣所有，仅供学习研究参考，未经过张欣授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。