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本发明公开了一种功率半导体芯片,包括该芯片的子模组及压接式封装模块,芯片包括:终端区,以及位于终端区内的有效区,有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线,以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极,栅极电极位于外围栅极包围区域...该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种功率半导体芯片,包括该芯片的子模组及压接式封装模块,芯片包括:终端区,以及位于终端区内的有效区,有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线,以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极,栅极电极位于外围栅极包围区域...