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一种亚阈值SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管P1、第一NMOS管N1和第三NMOS管N3构成第一反相器，第二PMOS管P2、第二NMOS管N2和第四NMOS管N4构成第二反相器，用于存储相反的数据，即存...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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