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基于中子光栅干涉仪的暗场成像方法技术
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文档序号:16364721
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本发明公开了一种基于中子光栅干涉仪的暗场成像方法,其特征包括:1移动光栅,将中子光栅干涉仪的工作点固定在光强曲线的峰位;2分别获取背景投影图像和被成像物体的投影图像;3移动光栅,将中子光栅干涉仪的工作点固定在光强曲线的谷位;4分别获取背景投...
该专利属于合肥工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过合肥工业大学授权不得商用。
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