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本发明公开负载四氧化三钴的氧化铜纳米棒的合成方法，利用热生长法制备得到氧化铜纳米棒，并用水热化学法在氧化铜纳米棒上进行四氧化三钴的负载，氧化铜纳米棒的直径为150‑250nm，四氧化三钴为10‑15nm且均匀的包覆在氧化铜纳米棒的表面上。本...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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