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本实用新型提出了一种测试结构，用于监测半导体芯片的性能稳定性，包括多个测试单元，所述测试单元包括PMOS、与平行PMOS并保持一定间距的NMOS、形成于PMOS和NMOS之上的公共栅极、位于NMOS之下的N型衬底以及位于NMOS、PMOS以...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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