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本发明提供一种氮化镓晶体管及其制造方法，其中方法包括：在势垒层表面上方形成P型掺杂的氮化镓铝层，其中，所述P型掺杂的氮化镓铝层的宽度小于所述势垒层的宽度；在所述P型掺杂的氮化镓铝层的两侧、所述势垒层的表面上方，沉积保护层；在所述P型掺杂的氮...该专利属于北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。