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本发明公开了一种半导体器件的制造方法及装置，以提高半导体器件的性能并降低半导体器件的制造成本，该方法包括：提供半导体基底，并在半导体基底上依次形成介质阻挡层、低K介电质层、金属硬掩膜层及硅氧化层；在介质阻挡层、低K介电质层、金属硬掩膜层及硅...
该专利属于盛美半导体设备(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)有限公司授权不得商用。

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