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本发明提供一种半导体器件结构及制备方法，制备方法包括步骤：提供一硅材料层；于硅材料层上形成中间结构，中间结构至少包括第一金属层，且第一金属层形成于硅材料层上表面，中间结构还包括第二金属层，第二金属层形成于第一金属层上，且第二金属层的材料与第...
该专利属于睿力集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过睿力集成电路有限公司授权不得商用。

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