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在所描述实例中，一种在III‑N层堆叠上含有增强模式GaN FET(102)的半导体装置(100)包含：经低掺杂GaN层(112)；势垒层(114)，其包含铝，位于所述经低掺杂GaN层上方；应力源层(116)，其包含铟，位于所述势垒层上方；...
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