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本发明提供一种包含p‑n异质结结构的薄膜晶体管TFT。p‑n异质结结构可包含窄带隙材料与宽带隙材料之间的结。可为氧化物、氮化物、硒化物或硫化物的所述窄带隙材料为所述TFT的有源沟道材料，且可提供相对较高的载流子迁移率。所述异质结结构促进能带...
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