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本发明公开了非易失性存储器单元，其包括具有第一区和第二区的衬底，所述第一区和所述第二区之间具有沟道区。浮栅设置在所述沟道区的与所述第一区相邻的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘。选择栅设置在所述沟道区的与所述第二区相邻的第二部分上方并且与所...
该专利属于硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术公司授权不得商用。

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