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本发明公开了一种用于高电流密度应用的功率半导体装置，所述装置包括：形成在彼此顶部之上的多个半导体区域；形成在所述半导体区域之一的第一表面上方的接触层。所述接触层包括置于与所述半导体区域之一的所述第一表面直接接触的第一部分，和形成在绝缘区域上...该专利属于丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。