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本发明揭示一种用于从上面具有化学机械抛光CMP后残余物及污染物的微电子装置清除所述残余物及污染物的清洁组合物及方法。所述清洁组合物基本上没有碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵。所述组合物实现了在不危害低k电介质材料或铜互连材料...
该专利属于恩特格里斯公司;恩特格里斯台湾公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩特格里斯公司;恩特格里斯台湾公司授权不得商用。

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