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本发明提供一种TFT阵列基板结构，在钝化绝缘层(8)上设置第一通孔(V1)，在钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)上设置第二通孔(V2)，且所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)沿横向间隔设置，在所述第一通孔(V1)内、第二通孔(V2)内、及...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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