TFT阵列基板结构制造技术

本发明专利技术提供一种TFT阵列基板结构，在钝化绝缘层(8)上设置第一通孔(V1)，在钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)上设置第二通孔(V2)，且所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)沿横向间隔设置，在所述第一通孔(V1)内、第二通孔(V2)内、及第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间沉积用于连接第三漏极(D3)与公共电压线(Com)的导电薄膜(9)，能够避免倒角问题，防范导电薄膜发生断裂及接触不良的风险，使放电TFT与公共电压线之间的连接可靠，提升TFT阵列基板的良率及其信赖性。

TFT array substrate structure

The invention provides a TFT array substrate structure, passivation of the insulating layer (8) is provided with a first through hole (V1), passivation of the insulating layer (8) and the gate insulating layer (3) through hole is arranged on the second (V2), and the first through hole (V1) and second holes (V2) laterally spaced arranged in the first through hole (V1), second through holes (V2), and the first through hole (V1) and second holes (V2) deposition for connecting third drain (D3) and the common voltage line (Com) conductive film (9). To avoid the problem of chamfering, prevent the conductive film rupture and the risk of bad contact, the reliable connection between the discharge of TFT and the common voltage line, yield and reliability improvement of TFT array substrate.

【技术实现步骤摘要】
TFT阵列基板结构
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板结构。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)能够显示高清、连续、细腻的画面，越来越受消费者青睐。现有市场上的TFT-LCD通常包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组。液晶面板由一彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。TFT-LCD要显示连续、细腻的高清晰画面，需要像素(Pixel)间做亮暗连贯性变化。两个连续变化的像素可以通过不同的开关时间差异所形成的亮度差异实现，但是该方法驱动设计难以实现；另一种方法可以通过给像素在相同时间内充入不同电量来使得上下电极或驱动电极间压差不一致，从而使液晶偏转角度不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板结构，其特征在于，包括自下至上依次层叠设置的第一金属层、栅极绝缘层(3)、半导体有源层(5)、第二金属层、及钝化绝缘层(8)；所述TFT阵列基板结构具有多个呈阵列式排布的像素区域，在纵向相邻的两像素区域内，所述第一金属层包括沿横向延伸的公共电压线(Com)、及栅极线(G)，所述第二金属层包括沿纵向延伸的数据线(D)、与所述数据线(D)连接的第一源极(S1)、与所述数据线(D)连接的第二源极(S2)、与所述第一源极(S1)相对设置的第一漏极(D1)、与所述第二源极(S2)相对设置的第二漏极(D2)、与所述第二漏极(D2)连接的第三源极(S3)、及与所述第三源极(S3)相对设置的...

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板结构，其特征在于，包括自下至上依次层叠设置的第一金属层、栅极绝缘层(3)、半导体有源层(5)、第二金属层、及钝化绝缘层(8)；所述TFT阵列基板结构具有多个呈阵列式排布的像素区域，在纵向相邻的两像素区域内，所述第一金属层包括沿横向延伸的公共电压线(Com)、及栅极线(G)，所述第二金属层包括沿纵向延伸的数据线(D)、与所述数据线(D)连接的第一源极(S1)、与所述数据线(D)连接的第二源极(S2)、与所述第一源极(S1)相对设置的第一漏极(D1)、与所述第二源极(S2)相对设置的第二漏极(D2)、与所述第二漏极(D2)连接的第三源极(S3)、及与所述第三源极(S3)相对设置的第三漏极(D3)；所述钝化绝缘层(8)覆盖第二金属层、半导体有源层(5)、与栅极绝缘层(3)；所述钝化绝缘层(8)上设有贯穿该钝化绝缘层(8)的第一通孔(V1)，所述第一通孔(V1)暴露出第三漏极(D3)的部分表面；所述钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)上设有贯穿该钝化绝缘层(8)与栅极绝缘层(3)的第二通孔(V2)，所述第二通孔(V2)暴露出公共电压线(Com)的部分表面；所述第一通孔(V1)与第二通孔(V2)沿横向间隔设置；所述第一通孔(V1)内、第二通孔(V2)内、及第一通孔(V1)与第二通孔(V2)之间沉积有用于连接第三漏极(D3)与公共电压线(Com)的导电薄膜(9)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：磨光阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44