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本发明提供具有ESD保护元件的半导体装置。半导体装置具有由使用了NMOS的截止晶体管构成的ESD保护元件，ESD保护元件在漏有源区域(105)内具有N型漏区域(102)和P型漏区域(103)，P型漏区域(103)的电位被设成P阱或P型半导体...
该专利属于精工半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工半导体有限公司授权不得商用。

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