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本发明公开了一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述低压IGBT包括P+型衬底、N+缓冲层、N-漂移区和正面结构；N+缓冲层在P+型衬底上，N-漂移区在N+缓冲层上，正面结构在N-漂移区的上方。所述方法包括：...该专利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。