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在方法的至少一个实施形式中，所述方法设计成用于制造光电子半导体芯片（10），尤其是发光二极管。该方法至少包括下述步骤：提供硅生长衬底（1）；借助于溅镀在生长衬底（1）上生成III族氮化物缓冲层（3），和在缓冲层（3）上方生长具有有源层（2a...
该专利属于欧司朗光电半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过欧司朗光电半导体有限公司授权不得商用。

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