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一种金属互连结构及其制作方法。制作方法包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；在该半导体衬底自下而上依次形成刻蚀终止层、介电层、Cu3N硬掩膜层；在Cu3N硬掩膜层上定义出用以形成沟槽的条状区域；定义出用以形成通孔的图形化光刻胶；以该图形...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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