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本发明提供一种晶体管及其制造方法，所述晶体管的制造方法，包括：在半导体基底上形成银层；在所述银层上形成至少一层具有类石墨烯结构的硅层；对与所述硅层相接触的银层表面进行氧化，形成位于硅层和银层之间的氧化银层，以形成由所述半导体基底、银层、氧化...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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