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MOSFET（1）包括碳化硅衬底（10）、有源层（20）、栅氧化物膜（30）和栅电极（40）。有源层（20）包括当向栅电极（40）供给电压时在其中形成反型层的p型体区（22）。反型层的电子迁移率μ，与和受主浓度Na的倒数成比例的电子迁移率μ...
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