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本发明提出一种具有GeSn沟道的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Ge层的衬底；向Ge层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成GeSn层；在GeSn层之上形成栅堆叠结构，并在栅堆叠结构两侧形成...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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