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包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法技术
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下载包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法的技术资料
文档序号:16271764
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公开了包括金属粘附和阻挡结构的半导体器件及其形成方法。半导体器件的实施例包括电连接至半导体本体的金属结构。金属粘附和阻挡结构位于金属结构与半导体本体之间。金属粘附和阻挡结构包括包含钛和钨的层、以及在包含钛和钨的层上的包含钛、钨和氮的层。...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。
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