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本发明的实施例提供在具有多个关键尺寸的侧壁图像转移过程中形成半导体器件的方法。所述方法包括在多个芯棒上方形成多级介电层，多级介电层具有覆盖多个芯棒的多个区域，多级介电层的多个区域具有不同的厚度；通过应用定向蚀刻过程将多级介电层的多个区域蚀刻...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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