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一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：形成半导体基底，包括衬底和凸出于衬底的鳍部；在鳍部表面形成栅极结构；形成保形覆盖半导体基底表面的保护层，所述保护层还覆盖栅极结构的侧壁；在保护层表面形成介质层，所述介质层与栅极结构齐平；形成贯穿介质...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。