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本发明涉及芯片走线的静电释放能力，尤其涉及通用存储器芯片的走线的静电释放能力方法。本发明的提高通用存储器芯片走线的静电释放能力的方法，应用于双层PCB板，于双层PCB板上设置通用存储器芯片的第一电路走线布局，第一电路走线布局由第一地址线，第...
该专利属于晶晨半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶晨半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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