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本发明提供一种高速VCSEL激光器外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次采用MOCVD沉积GaAs缓冲层、N型掺杂的DBR、有源层、氧化限制层、P型掺杂的DBR和欧姆接触层，所述氧化限制层由多个Ga组分可自由调节的Al1‑xGax...
该专利属于苏州全磊光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州全磊光电有限公司授权不得商用。

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