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本发明提供了一种基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管，包括：衬底；缓冲层，外延于衬底之上；N型欧姆接触层，外延于缓冲层之上且横截面为“凸”的形状，其下半部分与衬底的形状一致，其上半部分为圆柱状；雪崩倍增层，外延于N型欧姆接触层...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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